A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

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制造商部分

A2G35S200-01SR3

制造商
NXP Semiconductors
描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
415
在线数据表
-

询问

规格

  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 晶体管型:GaN HEMT
  • 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 获得:16.1dB
  • 电压测试:48 V
  • 额定电流(安培):-
  • 噪声系数:-
  • 电流测试:291 mA
  • 功率输出:180W
  • 额定电压:125 V
  • 包/箱:NI-400S-2S
  • 供应商设备包:NI-400S-2S

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