A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

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制造商部分

A2G26H281-04SR3

制造商
NXP Semiconductors
描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
551
在线数据表
-

询问

规格

  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Active
  • 晶体管型:LDMOS
  • 频率:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • 获得:14.2dB
  • 电压测试:48 V
  • 额定电流(安培):-
  • 噪声系数:-
  • 电流测试:150 mA
  • 功率输出:50W
  • 额定电压:125 V
  • 包/箱:NI-780S-4L
  • 供应商设备包:NI-780S-4L

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